工程学院教授危书义

危书义，男，汉族，1965年3月出生，河南省新密市人，九三学社成员，河南师范大学物理与信息工程学院教授，凝聚态学科点硕士生导师。1986年7月北京大学物理系毕业，获理学学士学位。1991年7月河南师范大学物理系毕业，获硕士学位。

中文名

危书义  

国    籍

中国  

出生地

河南省新密市  

出生日期

1965年3月  

目录

1. 1 个人简介  

2. 2 研究领域：  

3. 3 主要论文  

个人简介  

主讲过《光学》、《电磁场》、《电动力学》等本科生课程和《固体理论》、《表面与界面物理》等研究生课程。指导硕士研究生近20余名。长期从事半导体物理研究，对诸如半导体表面界面、金属/半导体复合体系、宽禁带直接带隙氮化物半导体异质结构等都做过较深入的研究并取得一些创新性研究成果。这些成果对集成电路技术的发展、光电子器件的改进等有一定的指导意义。在国内外学术刊物上发表论文100余篇，其中70篇发表在国际著名刊物“Surface Science”、“J. Appl. Phys.”、 “Phys.Lett. A”上。研究成果引起国内外同行专家的关注。近年来承担过2项国家自然科学基金项目、6项省自然科学基金及科技攻关项目。主讲的《光学》课程获河南省精品课程。

研究领域：  

半导体物理，低维量子结构

主要论文  

1 Adsorption of Co on Si(100) surface. Surf. Sci., 504(2002)37

2 Exciton states in wurtzite InGaN strained coupled quantum dots: Effects of piezoelectricity and spontaneous polarization. J. Appl. Phys. 97(2005)083705

3. Exciton in wurtzite GaN/AlxGa1-xN coupled quantum dots. Journal of Luminescence, 118（2）（2006）139-146

4. Influence of the built-in electric field on luminescent properties in self-formed single InxGa1−xN/GaN quantum dots Physica E. 33 (2006)343-348

5．First-principles studies on the Au surfactant on polar ZnO surfaces Physics Letters A. 363 (2007) 327–331

6. Exciton states and interband optical transitions in ZnO/MgZnO quantum dots Journal of Luminescence, (2008.128: 1285-1290)

7．Hydrogenic impurity states in zinc-blende GaN/AlN coupled quantum dots Physics Letters A 372 (2008) 6420–6423

8. Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots Physics Letters A 374 (2009) 97–100

9. Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot J. Appl. Phys. 106（2009）094301

10. Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots：Effects of electric field and hydrostatic pressure J. Appl. Phys. 108（2010）054307

11. Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots: effect of electric field J. Appl. Phys. 107（2010）054305

12. Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot J. Appl. Phys. 107（2010）014305